局部放電（簡稱局放）是指僅使導體間的部分絕緣發生的放電現象，發生局放的位置距離導體可能很近，也有可能距離導體很遠。造成局部放電的原因一般是絕緣體表面或者內部的場強畸變，通常局部放電波形是持續時間<1μs的高頻脈沖。電暈放電是局部放電的一種，它是在導體附近的介質中發生的。并不是所有的局部放電都是電暈放電，局部放電還存在著其它表現形式。
局部放電經常發生在液體介質的氣泡中或者固體的孔隙，或者由于高壓電氣設備的固體介質、氣體介質或液體介質中有尖的突起導致空間電場嚴重畸變。如果局部場強超過放電起始電壓，而且存在自由電子，則會發生電子崩。可能由于空腔壁的壁全效應，或者由于在氣體介質或液體介質中傳播時的空間電荷效應，這樣的電子崩止于局部放電。局部放電的過程是有局限的，而且具有暫態的性質，在時空特性上具有微秒級或更短的時間持續表現。雖然局部放電持續的時間很短，但是局部放電的高能帶電粒子與直接在導體附近的液體介質或者固體介質相互影響，最終可能導致分子的化學鍵斷裂、化學性質發生變化，燒燭絕緣材料。
很重要的一點是，我們檢測得到的并不是真正的局部放電，它是局部放電在靠近導體或終端產生的電荷，或者甚至從更為復雜的角度，波從誘導電荷傳播到局部放電檢測器。在頻率更高時，分立元件這個概念并不一定總能有效的，而實際上分析這類問題時更多的采用偶極子模型或波激勵的概念。
在長時間的作用下，高能帶電粒子與直接在導體附近的液體或者固體介質相互影響最終可能會導致全部絕緣的介電性能受到破壞，假如局部放電是連續發生的，則這種破壞將具有累積效應，這種破壞實際上就是一種絕緣“運行老化”。雖然造成絕緣變得老化的過程還有其它原因，但是局放現象是引起介質絕緣老化的一個最主要原因。因此，在絕緣介質中對局部放電進行檢測和標定是評定絕緣狀態的必然要求。
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