局部放電最常見也是最容易模擬的放電形式是絕緣介質內部的單氣隙放電,其放電情況如圖1.1(a)時所示。圖中c是絕緣介質內部由于工藝缺陷或者老化形成的氣隙,b是絕緣內部與c分壓的部分介質,可視作與b串聯,a是絕緣完好的部分,通常承受電壓與b,c總電壓相同。
單氣隙局部放電示意圖
目前的局部放電理論還很不完善,實際應用中還沒有計算公式能夠準確地計算擊穿電壓。目前學術界普遍采用湯遜氣體放電理論和流注放電理論來解釋電氣系統中的局部放電。
局部放電最常見也是最容易模擬的放電形式是絕緣介質內部的單氣隙放電,其放電情況如圖1.1(a)時所示。圖中c是絕緣介質內部由于工藝缺陷或者老化形成的氣隙,b是絕緣內部與c分壓的部分介質,可視作與b串聯,a是絕緣完好的部分,通常承受電壓與b,c總電壓相同。
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