在高壓開關柜中，SF6氣體充滿內部腔體充當絕緣介質，在局部放電故障中，除少數絕緣子出現氣隙缺陷造成放電外，大部分的局部放電現象都發生在SF6氣體中，其主要機理是氣體介質出現了帶電的質點，由于帶電質點的產生、消失是一個過程，只有當質點引起的電場強度增加到一定程度后，才會釋放能量引發局部放電。在高壓開關柜的SF6氣體中，帶電的質點是氣體分子在電離過程中產生的，包括碰撞引起的電力、光電效應引起的離和熱電離。

在高壓開關柜的內部，電場是類似同軸圓柱電極或者雙圓柱電極分布的，內、外兩個電極的曲率半徑相當，內外電極間的距離一般在幾十到上百毫米左右，在絕緣性能良好的情況下，高壓開關柜的內部電場是一個基本均勻的電場。當高壓開關柜的內部出現絕緣缺陷時，開關柜內部電場會出現畸變，在部分區域電場將相對集中，會出現極不均勻的電場。在極不均勻的電場中有可能出現放電，這一過程分為電暈放電、先導放電和主放電等三個不同的階段，放電過程是逐級發展的。當SF6氣體間隙上存在的電場足夠強時，場強集中區域的電場強度有可能大于局部放電的臨界場強Ecr/p=89kV/(MPa2mm)，此時由負離子產生的電子逐漸增加，會導致電子崩現象的出現。當電子崩的前端集聚了大量電子和離子時，這一區域的電場強度將進一步增強，氣體分子電離及復合會加劇，同時產生大量光子，氣體在光子作用下會出現光致電離，形成比較復雜的流注放電現象。

當pd值大于1MPa2mm時(此時p的取值對應高壓開關柜中氣體壓力0.4-0.8MPa，距離d的取值范圍在1.25-2.5mm)，氣體間隙的擊穿過程就是SF6氣體間隙先導電流形成、發展的過程。此時局部放電的過程分為三個過程，分別是流注電暈的爆發、流注電流向先導電流的轉變、先導電流的發展和擊穿。當高壓開關柜中場強集中區域的流注電暈發展到一定程度時，電暈的形狀接近橢球體，在電暈中存在大量空間電荷，將導致電暈外的電場出現畸變，會對電場產生一定的減弱效應，此時放電區域內的電子將迅速附著于SF6氣體分子上，放電區域內將形成正、負空間電荷，流注電暈產生的電流將持續向電離區域注入能量，流注電暈將逐漸向先導電流轉變，這一轉變過程中有兩種運動：第一，隨著電暈電流向流注區域注入能量的不斷增加，將引起放電區域氣體的熱膨脹；第二，放電區域內的正負離子，會出現向相反方向的緩慢移動。

基于這兩種不同的運動，將產生兩種放電，分別是莖先導放電和前驅機理放電。在高壓開關柜的內部，形成一個先導區域后，在先導區前部出現的流注電暈經過一定的時延，將逐漸由流注轉變為先導，會形成一段新的先導區域，新先導在頭部又會出現流注電暈，這一過程在放電區域將反復進行，先導將逐漸向前方發展，最終先導會觸及對面的電極，導致氣體被擊穿。在上述放電過程中，流注電暈轉變為先導是核心步驟，這一過程會受到莖先導機理和前驅機理的影響。其中，莖先導機理指己經形成流注電暈后，電暈產生的電流持續向流注區域注入能量，通道區域因能量的注入溫度升高，出現熱膨脹，氣體的密度逐步降低、臨界場強下降，先導前方將出現流注電暈，逐漸發展為新的先導區域，最終形成貫通擊穿。

在SF6氣體區域放電逐漸發展的過程中，如果外加的電壓、電場和氣體壓力等要素無法滿足先導發展的條件，就不會出現擊穿貫通，放電現象將停止。需要注意的時，此時雖然沒有出貫通性擊穿，但局部放電己經表明高壓開關柜的內部存在絕緣缺陷，需要重視并加以解決。