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GIS絕緣缺陷的分類（2）

發(fā)布時(shí)間：2021-08-20 01:06:53人氣：

（3）懸浮電位
在GIS開(kāi)關(guān)設(shè)備中存在著大量的連接觸頭和金屬屏蔽，由于不良的裝配或經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期的運(yùn)行，在電動(dòng)力(靜電力引起的機(jī)械振動(dòng))或外力(斷路器操作的振動(dòng))的作用下它們可能會(huì)出現(xiàn)松動(dòng)甚至振動(dòng)。這種屏蔽振動(dòng)或觸頭電接觸松動(dòng)，會(huì)形成懸浮電位，從而構(gòu)成電容。該電容被外施電壓充電，當(dāng)充電電壓超過(guò)耐受電壓時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生大規(guī)模局部放電。

GIS屏蔽松動(dòng)

上圖是一個(gè)500kV GIS上松動(dòng)的金屬屏蔽的圖片，由于緊固螺栓松動(dòng)使得屏蔽搭接在高壓導(dǎo)體上，該故障在出廠試驗(yàn)時(shí)被發(fā)現(xiàn)和排除。

（4）絕緣子氣隙或內(nèi)部缺陷
在GIS絕緣子制造過(guò)程中，時(shí)常會(huì)產(chǎn)生一些內(nèi)部缺陷，比如內(nèi)部氣隙、嵌入的金屬微粒等。其中絕緣子內(nèi)部氣泡缺陷最為常見(jiàn)，它主要是由于在絕緣件生產(chǎn)過(guò)程中真空度不夠或環(huán)氧樹(shù)脂在固化過(guò)程中的收縮而出現(xiàn)的內(nèi)部空隙所造成的，此外因環(huán)氧樹(shù)脂與金屬電極的收縮系數(shù)不同，也會(huì)形成氣泡和空隙。同時(shí)在GIS整間隔裝配時(shí)也可能刮傷或碰傷絕緣件造成裂縫等氣隙缺陷。

GIS絕緣子缺陷

上圖是一組GIS絕緣子缺陷引起的閃絡(luò)放電的圖片，其中左側(cè)是內(nèi)部有氣隙裂紋的盆式絕緣子，右側(cè)是表面有劃痕的支撐絕緣子。隨著生產(chǎn)工藝水平以及出廠試驗(yàn)要求的不斷提高（IEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定絕緣件的單件試驗(yàn)要求局部放電小于3pC），絕緣子內(nèi)部氣隙產(chǎn)生可能性很小。在實(shí)際生產(chǎn)中，絕緣子缺陷即便發(fā)生也多是因?yàn)榘惭b過(guò)程中的不當(dāng)操作所致。

（5）絕緣子表面污染物
絕緣子的表面污染物可能是由于以下原因造成的：

a. GIS腔體內(nèi)的自由金屬微粒運(yùn)動(dòng)到絕緣子表面；
b. 觸頭運(yùn)動(dòng)摩擦產(chǎn)生的金屬微粒散落到支撐絕緣子表面；
c. 局部放電產(chǎn)生的分解物，比如工廠或現(xiàn)場(chǎng)耐壓試驗(yàn)時(shí)放電閃絡(luò)在絕緣子表面產(chǎn)生的樹(shù)痕；

其中絕緣子表面吸附的固體自由金屬微粒，在某些情況下(比如被油脂粘住)會(huì)長(zhǎng)期地固定在絕緣子表面，作用類似于金屬突起物。這類絕緣子表面微粒缺陷可能在最初階段對(duì)GIS沒(méi)有任何危險(xiǎn)，但隨著表面電荷的積累和靜電力的作用，可能會(huì)發(fā)生移動(dòng)并最終對(duì)設(shè)備絕緣造成損害引發(fā)故障。